mrf6v2300 Esquemas básicos para la reparación de equipos de FM
Esquemas básicos para la reparación de equipos de FM.
Información pública aportada por DIMAR TRANSMISORES Y ANTENAS a causa de la falta de información provista por el fabricante y debido al alto costos de estos productos se generó este datasheet interno.
ATENCION! ¡A tener en cuenta al momento de la reparación!!!
Si bien el transistor de salida que se encuentran en los transmisores del tipo ALL-IN-ONE de ese mismo fabricante, los equipos vienen con la nomenclatura “borrada”.
Pues se ha explicado y comprobado en la práctica que en esos equipos de tanto esmerilar los encapsulados de los transistores de esos TX, provoca a largo plazo la ruptura y/o rajadura de los transistores, sacando de servicio de esta manera al equipo transmisor completo! No solo en el 250 watt, sino que también en los de 750w y 1 kilowatts NO ASI EN LOS DE 50W (los que utilizan RD70).
A tener en cuenta que el transistor de 250 watts posee varios tipos de encapsulados y que, si o si para tranquilidad del usuario se recomienda la importación directa del repuesto, preferentemente desde EEUU realizando la compra por medio de una persona que resida allí, pues las calidades de los productos son distintas.
Datasheet interno:
Semiconductor de libre uso.
Número de documento: MRF6V2300N
MRF6V2300NR1 - MRF6V2300NBR1
CANAL N BANDA ANCHA MOSFET DE POTENCIA USO RF
Diseñado
principalmente para aplicaciones de salida de señal DE ALTA POTENCIA CW
con frecuencias de hasta 600 MHz.
USO: industriales, médicas y científicas.
TODOS LOS DATOS AQUÍ MUY POSIBLEMENTE NO COINCIDAN CON EL DATASHEET ORIGINAL, SON MEDICIONES Y PRUEBAS LLEVADAS A CABO POR DIMAR TRANSMISORES Y ANTENAS. ·
Frecuencia mínima 10 MHz.·
Frecuencia máxima 600 MHz.·
Potencia máxima recomendad: 300 W·
Tensión “E” máxima recomendada: 50 V·
Tensión “E” máxima a punto de ruptura: 100 vcc·
AJUSTE DE BIAS MAXIMO (RECOMENDADO)= 900 mA.·
AJSUTE DE BIAS RECOMENDADO = 700 A 750 mA.·
Eficiencia de drenaje 60%.·
Ganancia de potencia 20 Db.·
VSWR 10:1 VSWR A LOS 50 Vdc, EN UNA FRECUENCIA CENTRAL DE 220 MHz, ENTREGANDO UNA POTENCIA DE 300 Watts.
| Clasificación
|
Símbolo
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valor
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unidad
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Tensión de fuente recomendada |
VDSS |
12 - 50 |
Vdc |
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Tensión de compuerta |
VGS |
--0.5, +10 |
Vdc |
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Rango de temperatura recomendado |
Test |
-- 65 to +90 |
°C |
|
Temperatura de trabajo exterior máxima recomendada |
TC |
100 |
°C |
| El uso continuo a temperatura máxima afectará el MOSFET.
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|
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (VDS = 100 Vdc, VGS = 0 Vdc) |
IDSS |
|
|
2.5 |
mA |
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Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (VDS = 50 Vdc, VGS = 0 Vdc) |
IDSS |
|
|
50 |
μAdc |
|
Drain--Source Breakdown Voltage (ID = 150 mA, VGS = 0 Vdc) |
V(BR)DSS |
110 |
|
|
Vdc |
|
Gate--Source Leakage Current (VGS = 5 Vdc, VDS = 0 Vdc) |
IGSS |
|
|
10 |
μAdc |
|
Gate Threshold Voltage (VDS = 10 Vdc, ID = 800 μAdc) |
VGS(th) |
1 |
1.63 |
3 |
Vdc |
|
Gate Quiescent Voltage (VDD = 50 Vdc, ID = 900 mAdc, Measured in Functional Test) |
VGS(Q) |
1.5 |
2.6 |
3.5 |
Vdc |
|
Drain--Source On--Voltage (VGS = 10 Vdc, ID = 2 Adc) |
VDS(on) |
|
0.28 |
|
Vdc |
|
Reverse Transfer Capacitance (VDS = 50 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc) |
Crss |
|
2.88 |
|
pF |
|
Output Capacitance (VDS = 50 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc) |
Coss |
|
120 |
|
pF |
|
Input Capacitance (VDS = 50 Vdc, VGS = 0 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz) |
Ciss |
|
268 |
|
pF |
LOS DATOS AQUI PUBLICADOS SON PARA USO EXCLUSIVO DE DIMAR TRANSMISORES Y DR2 BROADCAST, EL USO Y/O UTILIZACION DE ESTOS VALORES, RANGOS Y DATOS (DATASHEET) DE TERCEROS, ES POR CUENTA Y RESPONSABILIDAD DE CADA UNO, DIMAR TRANSMISORES Y ANTENAS JUNTO A DR2 BROADCAST PIENSAN QUE LA INFORMACION DEBE SER DE PUBLICO CONOCIMIENTO, PERO SE DESVINCULA DE TODA RESPONSABILIDAD RESPECTO A COMO CADA UNO UTILICE ESTA INFORMACION.
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